據(jù)DIGITIMES報道稱，近期紫光集團旗下長江存儲已成功研發(fā)32層3D NAND Flash芯片，正在加快步伐，縮短與國際大廠三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)∕英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)∕西部數(shù)據(jù)(WD)等之間的技術(shù)差距。

中國近幾年不斷加大對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資，尤其是在存儲器領(lǐng)域芯片制造上的投入。由于存儲器技術(shù)研發(fā)難度高，專利又集中在歐美大廠手上，業(yè)界對于大陸發(fā)展存儲器計劃多抱持保守態(tài)度，然近期長江存儲在3D NAND技術(shù)研發(fā)進度超乎市場預(yù)期。

長江存儲是專注于3D NAND技術(shù)的代表隊，更是紫光集團投入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重量級代表作。業(yè)內(nèi)半導(dǎo)體人士透露，長江存儲11月將32層3D NAND芯片導(dǎo)入SSD內(nèi)，進行終端產(chǎn)品測試成功，代表大陸3D NAND研發(fā)邁入新里程碑。長江存儲原本規(guī)劃12月底才提供32層3D NAND樣本，然該顆芯片樣本提前出來，且第一版就通過終端實測，象征研發(fā)獲得重大突破。

雖然最關(guān)鍵的研發(fā)一環(huán)已有小成，但后期量產(chǎn)的良率也是成敗的關(guān)鍵，未來要進入量產(chǎn)，勢必要達到一定的良率，確保每片3D NAND的可用晶圓數(shù)量，成本結(jié)構(gòu)才會具有市場競爭力。

在產(chǎn)能規(guī)劃方面，業(yè)者透露，長江存儲已預(yù)定5000片產(chǎn)能的機臺設(shè)備，預(yù)計2018年第2季投入試產(chǎn)，進度快慢要看良率而定，一旦長江存儲3D NAND大量投片產(chǎn)出，可望打破全球3D NAND門票都掌握在國際大廠的局面。

長江存儲投入3D NAND技術(shù)研發(fā)還不到兩年，過去大陸NAND Flash技術(shù)研發(fā)主力是武漢新芯，其透過飛索(Spansion)技術(shù)授權(quán)，生產(chǎn)NOR Flash和SLC型NAND，長江存儲于2016年7月成立之后，并購武漢新芯100%股權(quán)，成為大陸存儲器研發(fā)及生產(chǎn)中心。

根據(jù)長江存儲先前揭露的計劃，32層3D NAND主要是技術(shù)打底的動作，大陸真正視為主流的是64層3D NAND技術(shù)，這也是目前三星、東芝、美光、SK海力士等NAND Flash大廠主流的技術(shù)。若大陸成功發(fā)展64層3D NAND技術(shù)，且全面大量投產(chǎn)，將有機會與三星、東芝、SK海力士等拉近差距，同時也標志者中國在NAND Flash芯片制造上能夠達到國際水平。

中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，除了加強3D NAND技術(shù)研發(fā)，對DRAM存儲器也非常的感興趣。就在上個月，兆易創(chuàng)新宣布與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團)有限公司簽署了《關(guān)于存儲器研發(fā)項目之合作協(xié)議》，將開展19nm制程工藝存儲器 (含DRAM等)的研發(fā)項目，目標是在2018年12月31日前研發(fā)成功。合肥長鑫在2017年上半年稱將投資72億美元建12吋DRAM廠，這些項目都是著手DRAM研發(fā)或生產(chǎn)。

盡管目前三星、東芝、SK海力士都已進入64層和72層3D NAND技術(shù)，長江存儲現(xiàn)在才成功研發(fā)32層技術(shù)，但大陸的投入力不可小覷，未來與國際大廠一較高下也不無可能。

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